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PIE2012-4R7M

POWERINDUCTOR

●FEATURE 1.MultilayerChipPowerInductor 2.Monolithicstructureforhighreliability 3.Excellentsolderabilityandhighheatresistance 4.Nocrosscouplingduetomagneticshield 5.HighDCbiascurrentduetodevelopedmaterial 6.LowDCresistance 7.OperatingTemp.:-40°C~+125°C

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

AiT創瑞科技

AITSEMI

WireWoundMagneticallyShieldedSMDPowerInductor

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ABRACONAbracon Corporation

阿布雷肯

ABRACON

MULTILAYERCHIPINDUCTORS

文件:191.26 Kbytes Page:5 Pages

ECE

百容

ECE

UNSHIELDEDSMDPOWERINDUCTORS

文件:1.26466 Mbytes Page:2 Pages

RENCORENCO ELECTRONICS

朗科电子集团

RENCO
更新时间:2024-5-23 20:39:00
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