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SCTW40N120G2V | SiliconcarbidePowerMOSFET1200V,62m廓typ.,36AinanHiP247package 文件：205.57 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,33A,75m廓(typ.,TJ=25째C)inanHiP247package 文件：210 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
Automotive‑gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,75mΩtyp.,33AinanHiP247longleadspackage Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) Applications •Maininverter(electrictraction) •DC/DCconverterforEV/HEV •Onboardcharger( | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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