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SCTW60N120G2AG

Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,52A,45mΩ(typ.,TJ=25°C)inanHiP247package

Features •AEC-Q101qualified •Highspeedswitchingperformance •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Lowcapacitances •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) Applications •DC-DCconverters •SolarInvertersandrenewableenergy •SMPS •OBC Des

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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Automotive-gradesiliconcarbidePowerMOSFET1200V,45mΩtyp.,52AinanHiP247longleadspackage

Features •AEC-Q101qualified •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) Applications •Maininverter(electrictraction) •DC/DCconverterforEV/HEV •Onboardcharger(

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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更新时间:2024-5-23 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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HIP247-3
8860
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