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1N60	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N60	SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
1N60	SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司
1N60	JEDECDO-7PACKAGE JEDECDO-7PACKAGE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N60	1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

SSU1N60BTU产品属性

类型
描述
型号
SSU1N60BTU
功能描述
MOSFET N-Ch/600V/0.9a/12Ohm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-25 14:10:02

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2021-7-29
SST89E516RD-40-C-PIE
8051-40C8位微控制器-MCU，80518位微控制器-MCU，PLCC-4432kB8位微控制器-MCU，TQFP-328位微控制器-MCU，PIC8位微控制器-MCU，PDIP-40EUSART，MI2C，SPI8位微控制器-MCU
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价格:保证最优惠的价格，薄利多销为经营理念;_ 服务:最快捷的交货方式，货品均有30天质量保证
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SSW-110-01-L-D深圳市光华微科技有限公司18138231376
联系人：刘冬英电话：0755-83203002 传真：0755-82532883 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
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2012-11-8

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