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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.88Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNEL900V-0.72ohm-11ATO-247Zener-ProtectedSuperMESHPowerMOSFET

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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更新时间:2024-5-26 9:36:01
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