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TPS1120DG4中文资料
TPS1120DG4产品属性
- 类型
描述
- 型号
TPS1120DG4
- 功能描述
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-5-28 17:28:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/TEXAS |
23+ |
原厂封装 |
8931 |
||||
TI |
300 |
||||||
TI |
RoHSCompliant |
Tube |
375 |
neworiginal |
|||
TI |
1809+ |
SOP-8 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
TI |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
TI |
22+ |
8-SOIC |
20000 |
绝对原装现货 |
|||
TI/德州仪器 |
8-SOIC |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
TI-德州仪器 |
24+25+/26+27+ |
8-SOIC |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
TI |
2024+ |
SOIC-8 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
|||
TI |
11+ |
871 |
原装正品长期供货，如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
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Texas Instruments(TI) 德州仪器 (TI)
中文资料: 168160条
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