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TPS1120DRG4中文资料

厂家型号

TPS1120DRG4

文件大小

379.72Kbytes

页面数量

15

功能描述

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

Texas Instruments(TI)

简称

TI1德州仪器

中文名称

德州仪器 (TI)官网

LOGO

TPS1120DRG4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPS1120DRG4

  • 功能描述

    MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-30 8:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Bychip
23+
SOP8
10000
高品质替代,技术支持,参数选型
TI/TEXAS
23+
原厂封装
8931
TI
11+
SOIC-8
8000
全新原装,绝对正品现货供应
TI
23+
SOP8
7750
全新原装优势
TI
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  • TOMASETTO

Texas Instruments(TI) 德州仪器 (TI)

中文资料: 168182条

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