位置:首页 > IC中文资料第123页 > U30DCT-E3/4W
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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U30DCT-E3/4W | DualCommon-CathodeUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Softrecoverycharacteristics •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220A | VishayVishay Siliconix 威世科技 | ||
U30DCT-E3/4W | 封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:DIODE ARRAY GP 200V 15A TO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
DualCommon-CathodeUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Softrecoverycharacteristics •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220A | VishayVishay Siliconix 威世科技 |
U30DCT-E3/4W产品属性
- 类型
描述
- 型号
U30DCT-E3/4W
- 功能描述
整流器 200 Volt 30 Amp 25ns Dual Common Cathode
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 产品
Standard Recovery Rectifiers
- 反向电压
100 V
- 恢复时间
1.2 us
- 正向连续电流
2 A
- 最大浪涌电流
35 A 反向电流
- IR
5 uA
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
DO-221AC
- 封装
Reel
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Flambeau |
22+ |
NA |
89 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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Vishay |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO220AB |
10000 |
公司只做原装正品 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO220AB |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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ST |
23+ |
TO-220F |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO220AB |
6000 |
原装正品,支持实单 |
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中性 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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23+ |
N/A |
65210 |
正品授权货源可靠 |
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VISHAY |
2310+ |
TO220-3 |
3866 |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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GI |
TO |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
U30DCT-E3/4W规格书下载地址
U30DCT-E3/4W参数引脚图相关
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深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐手机:18975515225 原装正品大量现货,有需要的可以联系我QQ:97877805微信:wei555222777
2019-5-17U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制ICUC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较,以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路,同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛,一个TTL兼容关机端口,和一个软启动引脚这将增加一倍,作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作,并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定,输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流,如门,功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24
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