| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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30W,1930MHz-1990MHz,PCSLDMOSRFPowerTransistor Introduction TheAGR19030EFisa30W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),globalsystemformobilecommunication(GSM/EDGE),timedivisionmultipleaccess | TriQuint TriQuint Semiconductor |  |   | |
RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforclassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •CDMAPerformance@1990MHz,26Volts IS-95 | freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔 |  | | |
RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforclassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •CDMAPerformance@1990MHz, | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  | | |
1930-1990MHz,30W,2-StagePowerModuleEnhancement-ModeLateralMOSFETs 文件：323.43 Kbytes Page：15 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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