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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
500mWMetallurgicallyBondedGlassSurfaceMountZenerDiodes DESCRIPTION The1N4099UR-1through1N4135UR-1and1N4614UR-1through1N4627UR-1seriesare500mW,Zenervoltageregulatorsinthesurfacemount,glassDO-213AApackage.Voltagesfrom1.8to100Vin5,2,and1tolerancesareavailable.Theyareconstructedwithaninternalmetallurgicalbondand | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 |  |   | |
GLASSSURFACEMOUNT0.5WATTZENERS DESCRIPTION The1N4099URthru1N4135URand1N4614URthru1N4627URseriesof0.5wattglasssurfacemountDO-213AAZenervoltageregulatorsprovidesaselectionfrom1.8to100voltsinstandard5tolerancesaswellastightertolerancesidentifiedbydifferentsuffixlettersonthepartnumber. | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI-美高森美 |
24+25+/26+27+ |
DO-213 |
6328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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MICROCHIP(美国微芯) |
23+ |
DO213AB |
7350 |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
Microchip |
23+ |
20000 |
全新、原装、现货 |
||||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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CDI-DIODE |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
MICROCHIP/微芯 |
24+ |
SMT |
18000 |
诚以养德,用芯做事,全新原装原盒原标出货。 |
|||
MICROSEMI |
1809+ |
DO-213 |
326 |
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2024-5-20UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌：Renesas 包装：50 封装：BGA240
2021-9-3UPD720114GA-YEU-AT
UPD720114GA-YEU-AT，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD720114GA-9EU-A
UPD720114GA-9EU-A，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器
描述该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路，它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管，该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路，使用双极晶体管。此外，驱动电流可以调节，在节电模式下使用外部电阻器。因此，该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。特征•兼容电源电压3V-/5V-•引脚兼容与mPD16803•低（顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和）ON电阻R
2013-2-5UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
描述该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。特征•低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。•低电流消耗：国际直拨电话=100mA最大。•降噪电路，操作时INC已关闭。•小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑
2013-2-5
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