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SchottkyBarrierDiode

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FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

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SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. ·LowLeakageCurrent. ·HighCurrentCapability,HighEfficiency. ·HighJunctionTemperatureCapability.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-5-10 22:30:01
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FUJI
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